真空烧结炉主要用于半导体元件和功率整流器件的烧结工艺，可用于真空烧结、气体保护烧结和常规烧结。 它是半导体设备家族中的一种新型工艺设备。 设计理念新颖，操作方便，结构紧凑，可在一台设备上完成多项工艺流程。 也可用于其他领域的真空热处理、真空钎焊等工艺。

??    用户在选择真空烧结炉时，应根据具体的加工材料选择合适的型号，并在有效温度范围内使用，以使其发挥更好的作用。    

    真空烧结炉主要用于特种陶瓷（碳化硅（SIC）、碳化硼、氮化硅和氮化硅及碳化硅）、高熔点金属、硬质合金等粉末材料的高温烧结。 更适用于碳化硅制品的再结晶和烧结工艺。 还可用于一些难熔金属的退火、光亮和脱气。

真空烧结炉有两种类型：

???一种分为普通烧结炉（1300℃及以下）、中温烧结炉（1300℃～1600℃）和高温烧结炉（1600℃～2400℃）。

???另一种按真空度来分，可分为低真空、高真空和超高真空烧结炉。  

???    真空烧结炉采用中频感应加热原理。 在真空抽真空后充氢保护下，线圈内的钨坩埚内产生高温，通过热辐射传递给工件。 适用于科研、军事单位钨、钼及其合金等难熔合金粉末的成型和烧结。 又分为卧式真空烧结炉和立式真空烧结炉。 电炉安装场所应符合真空卫生要求，周围空气清洁干燥，通风条件良好，工作场所不易扬尘。

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