依据石墨烯的不同特性和开展难度，大概有以下开展路径：

首要，现在石墨烯粉体和薄膜产品己经具有了量产的可能性，相对应的如导电导热添加剂、防腐散热材料、复合材料及触摸屏使用范畴也有望最早实现突破。

其次，石墨烯高导电性、高比容量和比表面积的特性己经被测验用于改进超级电容的能量密度和充放电速度;别的因为其光线敏感度是普通传感器的1000倍，传感器使用也有望作为中期目标实现。

最终，石墨烯幻想空间最大的范畴是对硅的替代，成为下一代超高频率晶体管的根底材料，使用于高性能集成电路和新式纳米电子器件中。计算机速度的进步要求元件集成密度进一步进步，但是硅在尺度缩小方面己经进入瓶颈，IBM未来5年将投入30亿美元在后硅年代技能部署，石墨烯为重要的技能方向之一。但是因为石墨烯本身为导体，单层石墨烯没有带隙(BandGap)，无法实现逻辑电路必需的晶体管开关功能，需求人工植入带隙或采用复合材料的方法，工艺复杂性程度大幅进步，在微电子范畴广泛使用还有待时日。