机械剥离法是运用物体与石墨烯之间的冲突和相对运动，得到石墨烯薄层资料的办法。这种办法操作简略，得到的石墨烯一般保持着完好的晶体结构。2004年，英国两位科学运用通明胶带对天然石墨进行层层剥离获得石墨烯的办法，也归为机械剥离法，这种办法一度被认为出产效率低，无法工业化量产。 这种办法能够制备微米大小的石墨烯，可是其可控性较低，完毕大规模组成有必定的困难。
       2016年，我国科学家发明了一种简略高效的绿色剥离技术，通过"球-微球"间柔软的翻滚转移工艺完毕了少层石墨烯(层数3.8±1.9)的规模化制备。
       氧化康复法是通过运用硫酸、硝酸等化学试剂及高锰酸钾、双氧水等氧化剂将天然石墨氧化，增大石墨层之间的距离，在石墨层与层之间刺进氧化物，制得氧化石墨(Graphite Oxide)。然后将反响物进行水洗，并对洗净后的固体进行低温干燥，制得氧化石墨粉体。通过物理剥离、高温胀大等办法对氧化石墨粉体进行剥离，制得氧化石墨烯。毕竟通过化学法将氧化石墨烯康复，得到石墨烯(RGO)。这种办法操作简略，产值高，可是产质量量较低。氧化康复法运用硫酸、硝酸等强酸，存在较大的危险性，又须运用许多的水进行清洗，带大较大的环境污染。
       运用氧化康复法制备的石墨烯，含有较丰厚的含氧官能团，易于改性。但由于在对氧化石墨烯进行康复时，较难控制康复后石墨烯的氧含量，同时氧化石墨烯在阳光照射、运送时车厢内高温等外界每件影响下会不断的康复，因而氧化康复法出产的石墨烯逐批产品的质量往往不一致，难以控制质量。
       取向附生法是运用成长基质原子结构"种"出石墨烯，首先让碳原子在1150℃下进入钌，然后冷却，冷却到850℃后，之前吸收的许多碳原子就会浮到钌表面，毕竟镜片形状的单层的碳原子会长成完好的一层石墨烯。第一层掩盖后，第二层开始成长。底层的石墨烯会与钌产生剧烈的相互作用，而第二层后就几乎与钌完全分别，只剩下弱电耦合。但选用这种办法出产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的黏合会影响碳层的特性。
       SiC外延法是通过在超高真空的高温环境下，使硅原子进步脱离资料，剩下的C原子通过自组方式重构，然后得到基于SiC衬底的石墨烯。这种办法能够获得高质量的石墨烯，可是这种办法对设备要求较高。
       通过Hummer法制备氧化石墨;将氧化石墨放入水中超声松懈，构成均匀松懈、质量浓度为0.25g/L~1g/L的氧化石墨烯溶液，再向所述的氧化石墨烯溶液中滴加质量浓度为28%的氨水;将康复剂溶于水中，构成质量浓度为0.25g/L~2g/L的水溶液;将制造的氧化石墨烯溶液和康复剂水溶液混合均匀，将所得混合溶液置于油浴条件下搅拌，反响完毕后，将混合物过滤洗刷、烘干后得到石墨烯。
       化学气相堆积法即(CVD)是运用含碳有机气体为材料进行气相堆积制得石墨烯薄膜的办法。这是出产石墨烯薄膜最有用的办法。这种办法制备的石墨烯具有面积大和质量高的特征，但现阶段本钱较高，工艺条件还需进一步完善。由于石墨烯薄膜的厚度很薄，因而大面积的石墨烯薄膜无法独自运用，有必要附着在微观器件中才有运用价值，例如触摸屏、加热器件等。
       低压气相堆积法是部分学者运用的，其将单层石墨烯在Ir表面上生成，通过进一步研讨可知，这种石墨烯结构能够跨越金属台阶，连续性的和微米标准的单层碳结构逐渐在Ir表面上构成。 毫米量级的单晶石墨烯是运用表面偏析的办法得到的。厘米量级的石墨烯和在多晶Ni薄膜上外延成长石墨烯是由部分学者发现的，在1000℃下加热300纳米厚的Ni 膜表面，同时在CH4气氛中进行暴露，通过一段时间的反响后，大面积的少数层石墨烯薄膜会在金属表面构成。