PECVD石墨舟的制作流程一般分为制绒、扩散、去PSG和刻蚀、PECVD、丝网印刷、分选六个制程，其间PECVD是影响太阳电池片外观的重要要素之一，下面捷诚石墨小编就来给我们分享一下怎么下降PECVD返工率及提高电池片的外观质量，期望能对我们有所帮助。
1.PECVD返工片状况
　　对于晶硅太阳电池PECVD镀膜，主要是指在450℃，以石墨舟为载体，在真空状态下通过射频电源激发SiH4和NH3辉光放电发生等离子体，在硅片表面发生化学反应，生成Si3N4膜的进程。镀膜条件相对较多，进程比较复杂，因此发生返工片的原因也较多，依据实际出现的返工片的外观状况大致可分为：单边色差、边角色差、中心色差、斑点、水纹印，划痕、硅脱和反常放电片等。
2.PECVD返工原因及办法
　　镀膜进程中的温度、石墨舟、射频功率和气体流量等要素，都是影响镀膜均匀性的重要原因，因此不同原因造成的返工片，对应的处理方法也是有差异的。
（1）边角色差
　　硅片边角色彩反常，多与相对应方位的石墨舟片的距离有关，距离不同，导致电场改变，然后引起此处镀膜速率反常，色彩不同于其他方位，构成色差。常见原因一般有两种，一是石墨片之间的陶瓷隔块破损或缺失；二是对应方位的陶瓷杆松弛或开裂。
   　处理办法：查看对应方位的陶瓷隔块和陶瓷杆，替换或修理。且每次插片前，对陶瓷隔块和陶瓷杆逐一查看，可根本杜绝此类事情发生。
（2）中心色差
　　硅片中心膜厚薄于周边，构成色差，一般有两种原因，一是工艺气体流量缺乏，导致镀膜时硅片中心方位发生的等离子体数量少，镀膜速率慢，构成色差；二是定位卡点不合适或磨损严峻，影响硅片与石墨片的接触，导致硅片与硅片间的电场变弱，镀膜速率由硅片边际至硅片中心逐渐变慢，构成色差，这种状况一般出现即会发生2片返工片。
　　处理办法：（1）查看、清理进气孔旁的碎硅片，避免堵塞；（2）查看、修理对应方位的定位卡点。
（3）划痕
　　划痕多源自手动下片，一种原因为下片进程中将吸笔刺进石墨舟贴住硅片后，仍有继续向下运动的动作，导致发生划痕或吸笔印；另一种是因定位卡点磨损严峻或安装不合适，导致硅片被牢牢卡在与定位卡点接触的方位，用吸笔未能一次性将硅片取出，发生划痕。
     处理办法：对于第一种状况，首先将吸笔吸力调至合适，其次，将下片动作分解成这样一个进程：将吸笔刺进石墨舟至合适深度，用吸笔头贴住硅片，吸住硅片，向上提出吸笔。这样调整后，一般不会出现因这种状况导致的划痕。
（4）硅脱
　　硅脱多是因为下片进程中硅片与石墨舟陶瓷隔块或定位卡点的碰撞导致。除去人为要素外，还有吸笔和定位卡点等要素。
      处理办法：（1）清理吸笔头和吸笔垫，调整吸笔吸力；（2）查看、修理对应方位的石墨舟卡点
（5）反常放电
　　这里所说的反常放电是指相邻电极被硅片导通，在此附近构成强壮电场，发生大量等离子体，然后在这部分区域构成彩虹片的进程。一般也有两种原因，一是镀膜进程中，舟内的碎硅片搭到相邻电极上；另一种是PECVD炉内底部碎硅片堆积多，在石墨舟被放入炉内后，炉内底部碎硅片导通了相邻的两片电极。